三星电子已开始向主要全球客户交付首批12层48GB HBM4E样品，并计划在完成客户优化后启动量产。与现有HBM4相比，新产品性能提升超过20%，每堆栈内存带宽高达3.6TB/s，容量增加30%以上。在AI大模型训练和推理对高带宽存储器需求持续膨胀的当下，这一节奏让三星再度在出货进度上领先对手。
技术升级到底新在哪里
HBM4E是三星继今年2月量产HBM4后的第二代新一代AI专用存储。它采用第六代10纳米级(1c)DRAM工艺，并搭配三星晶圆代工的4纳米逻辑基片，单引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps。得益于更精细的制程和封装优化，能效提升16%，热阻改善超过14%，在AI数据中心高负载场景下有望明显降低能耗。容量方面，除了目前送样的48GB 12层配置，三星还规划了32GB 8层和64GB 16层型号，以满足从推理到超大模型训练的不同算力分层需求。
对AI存储市场意味着什么
HBM是AI加速芯片的“粮草”，带宽和容量直接制约训练效率。过去两年，SK海力士在HBM3和HBM3E阶段占据明显份额优势，但三星正通过量产速度和平台化产品组合追赶。目前SK海力士的HBM4E计划2026年下半年送样、2027年量产，基础裸片将由台积电3nm工艺制造；美光则计划2027年量产HBM4E，并首次在HBM中引入EUV光刻的1γ工艺。三大供应商的竞争重心已从单纯良率比拼转向定价权与下一代规格主导。TrendForce和部分券商分析指出，尽管传统DRAM短期利润率有所反超，但HBM长期合约价仍被看好，尤其在AI服务器出货持续高增、先进封装和良率瓶颈制约供给释放的背景下，HBM的涨价红利可能尚未完全兑现。三星率先交货，不仅抢占了客户验证窗口，也在标准化节奏上增加了话语权。
编注：信源为财联社，侧重产品参数迭代与供应商进度，未披露客户测试反馈与具体订单量。