韩国正在掀起一轮史无前例的存储芯片扩产浪潮。6月29日，韩国产业通商资源部长官金正官宣布，计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）在西南部新建四座半导体制造厂，目标五年内将DRAM产能翻倍。同日，三星电子与SK集团联合宣布，未来十年在韩国本土投资总额高达2000万亿韩元（约1.3万亿美元），打破以往首都圈集中模式，将投资重心转向以全罗道为中心的西南地区。
扩产竞赛全面展开
具体来看，三星电子选择光州原空军基地作为核心厂区，规划建设4至5座前道晶圆厂；SK海力士同样将在光州打造4至5座前道晶圆厂，仅新项目投资即各达600万亿韩元，规模远超此前京畿道龙仁集群。金正官指出，韩国将加快西南地区审批与建设进度，中部地区聚焦先进封装技术，东南部则重点发展材料、零部件和设备。
支撑扩产的弹药正在快速到位。SK海力士明确将利用赴美上市募资所得大举采购设备，并已在清州为第六代高带宽内存（HBM4）封装测试引进额外设备。
设备行业迎卖方市场
这波扩产直接拉动了上游需求。东吴证券指出，当前SK海力士全力扩产，规划五年内晶圆产能翻倍、2034年扩至三倍，2026年资本支出大幅高于去年，上游设备采购需求飙升，半导体设备正进入卖方市场。存储扩产预计带动设备放量，设备商及零部件出海机遇可期。
华泰证券也认为，伴随存储企业扩产，全球半导体材料市场有望快速增长，而我国半导体材料国产化率整体仍偏低，自主可控要求将加速国产替代进程。
编注：信源为财联社与科创板日报，材料覆盖韩国政策、三星/SK投资计划及券商解读，未涉及存储芯片具体技术参数与价格走势。